题 目：二维与三维石墨炔中的实陈数与高阶拓扑态
报告人：胜献雷 教授 北京航空航天大学
时 间：2022年3月25日（星期五) 14：00
地 点：腾讯会议 ID 896 389 039
报告摘要：高阶拓扑量子态是近几年提出的一类新奇拓扑物态，即d维的n阶拓扑绝缘体有(d-n)维的无能隙边界态，而在其它地方都是有能隙的绝缘态。例如，一个二维(三维)二阶拓扑绝缘体(SOTI)会在两个不同的边缘(表面)的交界处，也就是零维的角(一维的棱)上出现边界态。这其实意味着，SOTI的两个不同的无能隙的边缘本身就是(d-1)维的拓扑绝缘体。在本工作报道之前，高阶拓扑绝缘体只在三维材料和人造系统中有少数理论预言，而在二维体系中，还尚未发现一个具体的真实材料的例子。我们发现已经在实验上合成的石墨炔是一个二维SOTI材料[1]。进一步，我们提出了一类磁性二维二阶拓扑绝缘体的普适构建方案，并预言Bi/EuO结构是磁性二维二阶拓扑绝缘体[2]。进而，我们发现在PT对称的无自旋轨道耦合体系中，高阶拓扑态可用real Chern number描述，发展了相应拓扑不变量的材料计算方法，并以石墨一炔为例做了系统研究[3]。石墨炔的三维材料可由二维堆叠而成，类似石墨，是ABC堆叠，结构已在实验上证实，我们发现三维石墨炔是二阶节线半金属，首次为该拓扑物态找到实现材料[4]。
References：
X.-L. Sheng*, C. Chen, H. Liu, Z. Chen, Z.-M. Yu*, Y. X. Zhao*, and S. A. Yang. PRL 123, 256402 (2019).
C. Chen, Z. Song, J.-Z. Zhao, Z. Chen, Z.-M. Yu, X.-L. Sheng*, and S. A. Yang. PRL 125, 056402 (2020).
C. Chen, W. Wu, Z.-M. Yu, Z. Chen*, Y. X. Zhao*, X.-L. Sheng*, and S. A. Yang. PRB 104, 085205 (2021).
C. Chen, X.-T. Zeng, Z. Chen, Y. X. Zhao, X.-L. Sheng*, and S. A. Yang. PRL 128, 026405 (2022).
报告人介绍：胜献雷，北京航空航天大学0638太阳集团，教授，博导。2006年本科毕业于西安电子科技大学，2011年博士毕业于中国科学院大学，中国科学院物理研究所博士后，2015年入职北航0638太阳集团，长期从事计算凝聚态物理研究，在PRL，Nature Comm，PRB等期刊发表SCI论文50余篇。
