题 目： 镧系/锕系单原子磁体性能研究
报 告 人：袁宏宽 教授 西南大学
时 间：2023年10月09日（星期一) 下午 15：30
地 点： 0638太阳集团LE201
报告摘要：随着自旋电子学器件小型化的快速发展，高密度磁存储材料的研发成为人们关注的焦点。磁性原子沉积于与之匹配的支撑表面后，在满足表面沉积分散性好、取向规则的前提下，获得沉积稳定性高和电磁性能优异的原子结构材料是实现高密度磁存储的有效路径。基于f电子单原子表面沉积的近期科学突破，我们结合密度泛函理论、分子动力学、蒙特卡洛模拟、晶体场理论等计算方法，系统地将镧系/锕系单原子沉积在具有绝缘特性的单层表面，研究了多种单原子磁体的稳定性、磁性和电子性质，探讨了原子间磁耦合、量子隧穿、自旋弛豫等机制。我们设计的这些镧系单原子体系具有高的热力学和动力学稳定性，拥有高的自旋磁矩、轨道磁矩、磁各向异性以及较长的自旋弛豫时间，有望应用于高密度磁存储材料。
报告人介绍：袁宏宽，教授，博士生导师，西南大学科技处副处长，重庆英才计划·科技创新领军人才，重庆市科学技术带头人后备人选，重庆物理学会常务理事，重庆市青年科技领军人才协会理事，教育部大学物理课程教指委大学物理实验专委会委员，教育部大学物理课程教指委西南地区工作委员会委员，教育部师范专业认证专家。主要从事团簇物理学、磁性纳米结构功能材料设计、计算物理等领域研究，主持国家和省部级科学基金项目9项，获重庆市奖励或荣誉称号4项、西南大学教学成果奖2项、校级个人奖励和荣誉8次；是科技部、教育部、国家自然科学基金委以及10余个省市的科学基金、科技奖项、人才项目评审专家。在Phys Rep，Phys Rev B, J Chem Phys, Appl Surf Sci等国际期刊发表SCI论文150余篇，申请专利2项。
