方亮

基本情况：

2001-2003年为日本九州工业大学博士后，先后访问过加拿大多伦多大学、McMaster大学、哥伦比亚大学、日本大阪大学、千叶大学、九州大学、新加坡国立大学、香港科技大学、香港城市大学等高校以及日本国立材料研究所、新加坡A*Star等科研机构。

1.国家自然科学奖物理与天文学组评审专家

2.国家自然科学基金项目通讯评审专家

3.国家级科技项目信贷评审专家

4.重庆市半导体照明工程“十一.五”和“十二.五”发展规划专家组成员

5.江苏、福建、天津等省市科技项目评审专家

6.中国真空学会理事(2005-)

7.重庆市表面工程学会副理事长(2009-)

8.重庆市材料学会副秘书长(2005-2009)、常务理事(2010-)

9.《Appl.Suf.Sci.》、《J.Alloy Comp.》、《Material Science and Engineering》等多个国际刊物的审稿人.

主要从事半导体照研究方向：明、太阳能电池、热电材料等能源相关的光电子纳米薄膜的制备、性能与应用基础研究。

研究成果：

先后承担科研项目30余项，其中负责国家自然科学基金4项、主研2项；负责省部级项目10余项、横向项目近10项；先后在《Nano Lett.》、《J.Appl.Phys.》、《J.Crystal Growth》、《Thin Solid Films》等刊物上发表论文160余篇，被SCI收录80余篇，已申请发明专利8项，获准3项。

l主要科研项目10项

(1)国家自然科学基金：ZnO纳米薄膜的热磁电协同输运效应及机理研究(No:11074314,2011.01-2013.12），负责

(2)国家自然科学基金，ZnO基纳米薄膜的热电性能研究(No:50942021,2010.01-2010.12），负责

(3)国家自然科学基金，基于粒子扩散机理的光纤智能金属结构关键技术研究（No:50975301，2010.01-2012.12），主研

(4)国家自然科学基金项目：无痛型金刚石微阵列的研究(No:50345021，2004.01-2004.12)，负责

(5)国家自然科学基金项目：硅上异质外延单晶金刚石膜生长机理及磁阻效应的研究(No:19904016, 2000.01-2002.12),负责

(6)国家自然科学基金项目：高导热立方氮化铝陶瓷基片材料的研究(No：69701003,1998.01-2000.12)，主研

(7)教育部新世纪优秀人才资助计划：LED用新型透明电极材料的制备与应用研究(NCET-05-0764，2006.01-2008.12)负责

(8)重庆市科技攻关项目:大功率LED导热材料与散热技术研究，CSTC2009AC4187 (2010.01-2012.12），负责

(9)重庆市重大科技攻关计划子项目: LED专用透明电极研究(CSTC2005AA4006-A6, 2005.07-2007.06），负责

(10)重庆市科技攻关项目:含铬、镍合金钢高温锰系黑色磷化新技术与产业化(CSTC,2009AC4045,2009.03-2011.03），负责

l主要科研论文20篇

1. B.D.Guo,Q.Liu,E.D.Chen,H.W.Zhu,L.Fang, andJ.R.Gong，Controllable N- Doping of Graphene，Nano Lett. 2010, 10(12 ): 4975–4980 IF= 10

2. Q.L.Huang,G.Zhou,L.Fang,L.P.Hu,Z.S.Wang, TiO2 Nanorod Arrays Grown from a Mixed Acid Medium for Efficient Dye-Sensitized Solar Cells, Energy & Environmental Science, 2011, 4, 2145-2151 IF= 9.446

3. H.B Ruan, L.Fang, G. P. Qin, T. Y. Yang, W. J. Li, C.Y. Kong,Raman scattering and electrical properties of Zn1-xMnxO films，J.Alloys and Comp.(2012), 531：77-81

4. D.C.Li, L.Fang, S.K.Deng, K.Y.Kang,,W.H.Wei and H.B.Ruan，Synthesis and first-principles calculations of the structural and electronic properties of type-I clathrates Sr8Ga16SnxGe30-x，Phys. Status Solidi B, 1–8 (2012)

5. D.C.Li, L.Fang, S.K. Deng, K.Y. Kang, L.X. Shen, W.H. Wei, H.B. Ruan,Structural and electronic properties of type-I and type-VIII Ba8Ga16Sn30 clathrates under compressionPhysica B:Condensed Matter, 407 (2012) 1238–1243

6. L.P. Peng, L.Fang,W.D. Wu , X.F. Yang, Y.Y. Wang, The structural and optical properties of ZnO thin films on various LiNbO3 substrates,Vacuum, 2012,86 (8) 1147-1149

7. F.Wu, L.Fang,Y.J. Pan, K. Zhou, H.B. Ruan, G.B. Liu, C.Y. Kong, Effect of annealing treatment on structural, electrical, a nd optical properties of Ga-doped ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering, Thin Solid Films, 520 (2011) 703–707

8. H.B.Ruan, L.Fang, G.P.Qin, and C.Y.Kong，Effect of Annealing on the Formation of p-Type Conductivity in Nano-Zn00.92 Mn0.08O:N Films，J. Nanosci. Nanotechnol，2011，11(12):11049-11054

9. B.Yin; L.Fang; A.Q.Tang,Novel strategy in increasing stability and corrosion resistance for super-hydrophobic coating on aluminum alloy surfaces, Applied Surface Science, 2011, 258 (1): 580-585

10. Q.L. Huang, L.Fang, X. Chen, M. Saleem, Effect of polyethyleneimine on the growth of ZnO nanorod arrays and their application in dye-sensitized solar cells，J. Alloys and Compounds, (2011) 509(39): 9456–9459

11. H.B. Ruan, L.Fang , D.C. Li, M. Saleem, G.P. Qin, C.Y. Kong, Effect of dopant concentration on the structural, electrical and optical properties of Mn-doped ZnOfilms, Thin Solid Films, 2011,519:5078–5081

12. B.Guo, L.Fang, B. Zhang and J.R. Gong，Doping effect on shift of threshold voltage of graphene-basedfield-effect transistors，Electronics Letters，2011，47(11): 663-U50

13. D.C.Li, L.Fang et al., Structural and Electronic Properties of Type-I Clathrates M8Ga16Ge30 (M=Ba, Sr, Yb) From First-Principle Calculations ,Journal of Electronic Materials, 2011,40(5):1298-1303

14. B.D.Guo, L.Fang, B.H.Zhang, J.R.Gong, Graphene Doping: A Review，Insciences Journal. 2011, 1(2), 80-89

15. F.Wu, L.Fang, Y.J. Pan, K. Zhou, Q.L. Huang and C.Y. Kong, Effect of substrate temperature on the structural, electrical and optical properties of ZnO:Ga thin films prepared by RF magnetron sputtering, Physica E，2010,43(1): 228-234

16. B.Yin, L.Fang, J.Hu, A.Q.Tang,W.H.Wei, J.He，Preparation and properties of super-hydrophobic coating on magnesium alloy，Applied Surface Science 257 (2010) 1666–1671

17. L.Fang, K.Zhou, F.Wu, et al., Effect of Ga doping concentration on electrical and optical properties of nano ZnO transparent conductive films，J Supercond Nov Magn (2010) 23: 885–888

18. L.Fang, X.F.Yang, L.P. Peng et al., Thermoelectric and Magnetothermoelectric properties of In-doped nano-ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering, J Supercond Nov Magn (2010) 23: 889–892

19. L.Fang,F.Xiao, Y.F.Wang et al., Density and Molar Volume of Liquid Ni-Co Binary Alloys，Materials Science and Engineering B，2006，132( 1-2):174-178

20. L.Fang, Y.F.Wang,F.Xiao et al.,Density of liquid NiCrAlMo quarternary alloys measured by a modified sessile drop method，Materials Science and Engineering B，2006，132( 1-2):164-169

l专利8项(授权3项)

1方亮，张淑芳，彭丽萍等，发明专利：P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法，发明专利号ZL200710092912.6, 2009.06.24授权

2方亮，张淑芳，刘高斌等，实用新型专利：一种用于密闭发光二极管系统的散热结构，专利号ZL 200520009905.1，2007.03.28授权公告

3李琪敏，罗荣，方亮，国防发明专利，铝合金机械零件阳极氧化后的染色方法，专利号ZL 200610120532.4

4方亮，胡佳等，铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法，申请号201010165287.5，申请公布号CN101851754，公布日期2010.10.06

5方亮，殷波等，一种镁合金表面超疏水涂层的制备方法，申请号201010165310.0，申请公布号，CN101824620,公布日期2010.09.08

6方亮，胡釜等，镁合金在酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法，申请号200910104521.0，申请公布号，CN101619449，公布日期2010.01.06.

7方亮,钟前刚,何建,胡佳,李赟，大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法，申请号201110025271.9，申请公布号，CN102181271，公布日期2011.09.14

8方亮,毛建辉,胡佳,谢良波,唐安琼,殷波，一种在Cr、Ni元素含量高的合金钢上制备磷化膜的方法，申请号，201110025256.4；申请公布号，CN102146578，公布日期2011.08.10

获奖情况：

获得省部级以上奖励7项，其中科研奖4项，教学成果奖1项，人才类荣誉2项。

1. 2012,重庆市技术发明二等奖：纳米表面工程关键技术的研发及产业化应用

2. 2011.05重庆市科技进步三等奖：半导体照明产品关键技术及工程应用研究(2010-J-3-05-R06)

3. 2009.02,重庆市第三届高等公司产品成果三等奖:现代信息环境下理工类本、硕、博课程教学模式创新与实践(渝第三届证书号：20093046(5-3)

4. 2008年重庆市材料物理与化学学科带头人后备人选

5. 2007.03.26,重庆市自然科学三等奖：“熔融镍基合金热物性的精密测定方法与基础理论”(ZR060301002)

6. 2005年度教育部新世纪优秀人才（NCET-05-0764）

7. 2004.02.02,重庆市自然科学二等奖：宽带隙薄膜材料核化与生长机制及其性质的研究(ZR030200105)